电子负载低电压下如何解决电流变小问题？

功率MOSFET的作用如同是在被测电源两端接了一个电阻。利用控制MOSFET的Vgs，便能够调整晶体管的导通状态，Vgs越大，便可以从被测电源中获取更多的电流。被测电源输出的功率就被功率MOSFET耗散掉变成热能。在这个过程中，只要电源输出电压足以使电子负载内部的功率MOSFET导通就能够正常工作。可是，假设Vds两端的电压变低达到3V或者是更低的情况下，功率MOSFET就没有办法再调节电流。此时，MOSFET的工作状态进入到饱和状态，其吸收的电流已经饱和，也无法再伴随Vgs变大，表现出来的就是MOSFET的饱和电阻。因此在低电压的情况下，电子负载能吸收的电流会变小，如下图所示：

【Keysight N3304A电子负载的工作曲线】

在上图中便可看出，在电子负载工作于3V以下的情况，电子负载还可以吸收电流，可此时能吸收的最大电流在减小，其内部的MOSFET处于饱和状态，瞬态响应很差。

因此在实际使用时，为了避免使电子负载工作在低电压区，在此可采用串联一个辅助电源来提升电子负载的工作电压，如下图所示：

辅助电源可以是具备额定电流的低成本固定输出3V至5V电源，所输出的最大电流要能够满足电子负载吸收的最大电流。电子负载这时工作在remote sense，+S和-S端子连接被测电源的输出端子，该类情况下才可以正常工作。