身处在现下快速发展的半导体行业中,准确的温度控制十分的关键,特别是对于在多晶硅还原炉、硅单晶生长炉及硅晶片加工等复杂工艺中。身为非接触式温度测量领域的专家,福禄克过程仪器经过提供创新的红外测温解决方案,辅助半导体制造商提高了产品质量与生产效率。对于这个困难的突破性难题应该怎样解决?一起来解析下福禄克的真正“秘诀”吧。
多晶硅还原炉测温:Endurance系列的突破性应用!
多晶硅还原炉中的温度测量具备一定的困难,基于硅材料对红外线的吸收,乃至现场的防爆条件。
福禄克Endurance系列传感器利用自身在1µm波长下的卓越表现,可以通过石英窗精确监测硅晶片的温度,不受外界热源干扰。此系列采用的定制光学器件,能够达到多种安装需求,该优势为客户提供了灵活性以及可靠性,同时也成为了红外测温的可靠解决方案。
硅单晶生长炉测温:MI3系列的高精度保障
在硅单晶生长过程中,对于炉内加热器与坩埚的温度控制十分的关键。
福禄克的MI3系列传感器使用1µm波长,可以利用真空腔室的小窗口精确测量加热器的温度,进而精确的保障单晶硅棒的生长条件得到严格控制。此传感器通过抗干扰设计,也可在复杂环境中正常运行,此外还可达到现场的防爆需求。
硅晶片抛光过程温度监控:Thermalert® 4.0的独特优势
在抛光硅晶片的过程中,温度过高会促使晶片出现问题。
福禄克Thermalert® 4.0传感器采用监测抛光液的温度间接反映晶片表面温度,精确保障其保持在较低水平,避免过热以及晶片扭曲。此无接触式测量方式不单可以提高温度控制的准确性,同时还避免了对晶片的污染或是损坏。
MBE工艺中的温度监测
在外延反应器的MBE工艺中,晶片温度监测还要面对发射率变化这项难题。
福禄克MM系列定制传感器在特定波长下工作,可透过石英窗准确测量硅晶片的温度,不需要额外注意发射率的变化。这种非接触式红外测温技术精确保障了在沉积过程中晶片温度的稳定控制,是此工艺的可靠解决方案。