产品介绍
碳化硅高压晶圆老化系统WLR3500 用于一次进行6个晶圆的单次HTGB和HTRB老化,可以自动切换老化条件,可以对每个die进行Vth的测试,可以根据不同配置需求满足不同成本要求,给客户进行可配置的研发应用和高容量生产应用,老化时间可以从几分钟到几十个小时,甚至几千小时,每通道单独的过电流保护来保护被测器件,可以提供MAP数据用于分析。
主要特点
支持多种晶圆老化
支持SiC,GaN晶圆产品的老化;
高精度参数测试
支持参数测试Idss、Igss、Vth;
高温高湿可靠性
恒IDS/ICE控制老化功能;
高精度漏电流测试
最高精度漏电流分辨率可以到0.1nA;
氮气保护
支持氮气保护,防止高压打火和PAD氧化;
过流保护
过流保护,短路电流瞬时响应<100nS;
高耐温设计
抽屉加热相关耐200度设计;
温度均匀性高
均匀性±1℃,准确性<1℃,分辨率0.1℃。
功能与优势
夹具,单层抽屉和整机结构
WLR3500碳化硅高压晶圆老化系统分为夹具,单层抽屉和整机结构,每层可以独立运行。
夹具分为探针卡和热沉两个部分,通过Aligner设备将晶圆和组合起来,放到老化系统进行老化。
单层抽屉设计
每层电路独立控制,可以实现不同单层工作在不同模式,可以通过调用老化Plan进行不同的老化验证。
技术规格
参数 | 指标 |
适用产品 | GaN,SiC Wafer |
适用封装 | 4寸,6寸 Wafer |
老化参数 | HTGB,HTRB |
测试参数 | Igss,Idss,Vth,Rdson |
系统尺寸(mm) | 1200(W)X1900(H)X1300(D) |
系统功耗 | <6kW |
氮气保护 | >0.6mPa接入 |
温度范围 | 常温-200℃ |
电压范围 | 栅极±50V,源极2000V |
系统通道 | 712 |
系统层数 | 5层 |
电流电压过冲 | 任何情况下没有过冲 |
MES对接 | 支持MES对接 |