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WLR3500
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苏州联讯 碳化硅高压晶圆老化系统 WLR3500

品牌名称:苏州联讯

产品型号:WLR3500

产品规格
产品介绍
碳化硅高压晶圆老化系统WLR3500 用于一次进行6个晶圆的单次HTGB和HTRB老化,可以自动切换老化条件,可以对每个die进行Vth的测试,可以根据不同配置需求满足不同成本要求,给客户进行可配置的研发应用和高容量生产应用,老化时间可以从几分钟到几十个小时,甚至几千小时,每通道单独的过电流保护来保护被测器件,可以提供MAP数据用于分析。
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产品详情

产品介绍

碳化硅高压晶圆老化系统WLR3500 用于一次进行6个晶圆的单次HTGB和HTRB老化,可以自动切换老化条件,可以对每个die进行Vth的测试,可以根据不同配置需求满足不同成本要求,给客户进行可配置的研发应用和高容量生产应用,老化时间可以从几分钟到几十个小时,甚至几千小时,每通道单独的过电流保护来保护被测器件,可以提供MAP数据用于分析。

 

主要特点

支持多种晶圆老化

支持SiC,GaN晶圆产品的老化;

高精度参数测试

支持参数测试Idss、Igss、Vth;

高温高湿可靠性

恒IDS/ICE控制老化功能;

高精度漏电流测试

最高精度漏电流分辨率可以到0.1nA;

氮气保护

支持氮气保护,防止高压打火和PAD氧化;

过流保护

过流保护,短路电流瞬时响应<100nS;

高耐温设计

抽屉加热相关耐200度设计;

温度均匀性高

均匀性±1℃,准确性<1℃,分辨率0.1℃。

 

功能与优势

夹具,单层抽屉和整机结构

整机结构.jpg

WLR3500碳化硅高压晶圆老化系统分为夹具,单层抽屉和整机结构,每层可以独立运行。

夹具分为探针卡和热沉两个部分,通过Aligner设备将晶圆和组合起来,放到老化系统进行老化。

 

单层抽屉设计

单层.jpg

每层电路独立控制,可以实现不同单层工作在不同模式,可以通过调用老化Plan进行不同的老化验证。

 

技术规格

参数

指标

适用产品

GaN,SiC Wafer

适用封装

4寸,6寸 Wafer

老化参数

HTGB,HTRB

测试参数

Igss,Idss,Vth,Rdson

系统尺寸(mm)

1200(W)X1900(H)X1300(D)

系统功耗

<6kW

氮气保护

>0.6mPa接入

温度范围

常温-200℃

电压范围

栅极±50V,源极2000V

系统通道

712

系统层数

5层

电流电压过冲

任何情况下没有过冲

MES对接

支持MES对接


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