产品介绍
博电科技PST6747A半导体参数分析仪是一款测量与分析功率半导体器件I-V特性的专用仪器，能 在3kV （可扩展为10kV）和2200A的条件下实现精确测量、分析功率半导体器件的静态参数。 PST6747AM有快脉冲能力，以及fA电流检测能力，并具有优异的宽电压和电流测量能力。这些功能能够对最新的器件（例如IGBT）和新型材料（例如GaN和SiC）进行测量。
PST6747A由多个独立的高精度源组成，包括P6701B 3kV高压高精度源、P6703B高精度源和 P6705A 2200AX电流源等组成。每个功率源模块上配备两个独立的模数（AD）转换器支持2µs采样率，每个模块上的驱动能够独立精确控制，对有可能影响器件特性的关键参数进行精确监测。
对于测量功率器件和电源电路，该仪器更便于使用，有更好的数据分析能力，同时利用 博电科技自主研发的软件也简化了对测量数据的管理，能够依据用户的需求进行定制，让用户有 更好的使用体验。
产品特点
控制系统采用高速数字控制系统通信，可对多路测试源表进行模拟数据采集，每个模块上的驱动能够独立精确控制，使得测试系统工作稳定可靠；
产品基于多源表同步输出控制系统控制测试过程，实现全自动实时分析半导体功率器件的关键电气特性；
测试半导体功率器件时，功率测试单元过流短路保护开关采用固态程控电子开关，过流保护电流均可实现数字程控设定，避免功率半导体器件在测试中损坏；
具有数据提取分析能力，可自动创建功率器件技术资料，自动记录功能能够避免数据丢失，能够识别在实际电路工作条件下的不合格器件；
自动化检测软件提供用户熟悉的器件技术资料格式，使用户可轻松进行测试操作。
产品功能
PST6747A半导体测试系统经博电科技研发团队持续技术攻关，于2020年研制成功并供应客户，实现我国在功率半导体高端分析仪器装备方向有力替代进口同类产品。PST6747A是国内首台具有快脉冲、精度分辨fA电流检测、宽电压/电流测量能力的半导体测试系统。
PST6747A半导体测试系统解决了基于国产检测设备实现主流功率器件（IGBT、MOSFET、GTO）和新型材料（GaN、SiC）等功率半导体器件的静态全参数测试难题。产品已应用于应用单位、科研院所、运维、生产等各大半导体研究院所和高校等使用试用并获得用户好评。
适用范围
对于半导体器件研发人员和设计人员来说，全面、精确的了解功率器件在各种条件下的性能表现是很重要的，功率器件将最终决定电子电路的功率损耗，因此，深入了解功率器件的特征，对于开发可靠和节能产品非常关键。
PST6747A半导体测试系统是一款测量与分析功率半导体器件静态参数的专用仪器，为所有类型的功率半导体器件提供静态参数测量解决方案。
PST6747A半导体测试系统能在 3kV（可扩展为 10kV）和 2200A 的条件下实现精确测量、分析功率半导体器件的静态参数。PST6747A具有快脉冲能力，以及fA电流检测能力，并具有优异的宽电压和电流测量能力。
这些功能能够对最新的器件（例如IGBT）和新型材料（GaN和SiC）进行测量。
PST6747A由多个独立的高精度源组成，包括P6701B（3kV高压高精度源）、P6703B（高精度源）和 P6705A（2200A大电流源）等。
每个功率源模块上配备两个独立的模数（AD）转换器，支持 2μs 采样率， 每个模块上的驱动能够独立精确控制，对有可能影响器件特性的关键计时进行精确监测。
对于测量功率器件和电源电路，该仪器更便于使用，有更好的数据分析能力，同时北京博电自主研发软件简化测量数据管理，能够依据用户的需求进行定制，为用户提供更好的使用体验。
技术参数
测试项目 | 符号 | 单位 | 曲线 | 模块 | 范围 |
栅极阈值电压（开路） | VGE（th） | A | IC-VGE(VCE=固定值) | P6703B/P6704B | -1A至+1A |
栅极阈值电压（短路） | VGE（th） | A | IC-VGE(VCE=VGE) | P6703B/P6704B | -1A至+1A |
转移特性 | IC | A | IC-VGE（VCE=固定值) | P6704B/P6705A | -2200A至+2200A |
集-电极截止电流 | ICES | A | IC-VCE | P6704B/P6701B | -8mA至+8mA |
集-射极饱和压降 | VCE(sat) | V | VCE--IC | P6704B/P6705A | -75V至+75V |
集-射极击穿电压 | BVCES | V | VCE--IC | P6704B/P6701B | -3kV至+3kV |
二极管正向压降 | VFM | V | VCE--IC | P6704B/P6705A | -75V至+75V |
栅极漏电流 | lGES | A | lG-VGE | P6703B/P6704B | -1A至+1A |
输出特性 | lC pulse | A | IC-VGE | P6704B/P6705A | -2200A至+2200A |
栅-源极电压 | VGES | V | VGE-IG | P67038/P6704B | -60V至+60V |
P6701B高压模块技术指标
P6701B电压量程，分辨率和精度
电压量程 | 输出分辨率 | 测量分辨率 | 输出精度±(%+mV) | 测量精度(%+mV) | 最大电流 |
±200V | 2mV | 2mV | ±(0.03+ 40) | ±(0.03+ 40) | 8mA |
±500V | 5mV | 5mV | ±(0.03 +100) | ±(0.03 +100) | 8mA |
±1000V | 10mV | 10mV | ±(0.03 + 300) | ±(0.03 + 300) | 8mA |
±3000V | 30mV | 30mV | ±(0.03+ 600) | ±(0.03+ 600) | 4mA |
P6701B电流量程，分辨率和精度
电流量程 | 输出分辨率 | 测量分辨率 | 输出精度±(%+A+A) | 测量精度±(%+A+A) | 最大电压 |
±1nA | 50fA | 50fA | ±(0.9+3E-12+Vo×1E-14) | ±(0.9+3E-12+Vo×1E-14) | 3000V |
±10nA | 500fA | 500fA | ±(0.5+3E-11+Vo×1E-13) | ±(0.5+3E-11+Vo×1E-13) | 3000V |
±100nA | 5pA | 5pA | ±(0.2+3E-10+Vo×1E-12) | ±(0.2+3E-10+Vo×1E-12) | 3000V |
±1uA | 10pA | 10pA | ±(0.05+1E-10+Vo×1E-13) | ±(0.05+1E-10+Vo×1E-13) | 3000V |
±10uA | 100pA | 100pA | ±(0.04+2E-9+Vo×1E-11) | ±(0.04+2E-9+Vo×1E-11) | 3000V |
±100uA | 1nA | 1nA | ±(0.03+3E-9+Vo×1E-11) | ±(0.03+3E-9+Vo×1E-11) | 3000V |
±1mA | 10nA | 10nA | ±(0.03+6E-8+Vo×1E-10) | ±(0.03+6E-8+Vo×1E-10) | 3000V |
±8mA | 100nA | 100nA | ±(0.03+2E-7+Vo×1E-9) | ±(0.03+2E-3+Vox1E-9) | 1000V |
P6703B中压模块技术指标
P6703B电压量程，分辨率和精度
电压量程 | 输出分辨率 | 测量分辨率 | 输出精度±(%+mV) | 测量精度±(%+mV) | 最大电流 |
±0.5V | 25uV | 25uV | ±(0.018+0.15) | ±(0.01+0.3) | 1A |
±2V | 100uV | 100uV | ±(0.018+0.4) | ±(0.01+0.7) | 1A |
±20V | 200uV | 200uV | ±(0.018+3) | ±(0.01+4) | 1A |
±40V | 400uV | 200uV | ±(0.018+6) | ±(0.015+8) | 1A |
±100V | 1mV | 1mV | ±(0.018+15) | ±(0.02+20) | 125 mA |
±200V | 2mV | 2mV | ±(0.018+30) | ±(0.035+4O) | 50 mA |
P6703B电流量程，分辨率和精度
电流量程 | 输出分辨率 | 测量分辨率 | 输出精度±(%+A+A) | 测量精度±(%+A+A) | 最大电压 |
±1nA | 50fA | 50fA | ±(0.9+3E-12+Vo×1E-14) | ±(0.9+3E-12+vox1E-14) | 200 V |
±10nA | 500fA | 500fA | ±(0.5+3E-11+Vo×1E-13) | ±(0.5+3E-11+vox1E-13) | 200 V |
±100 nA | 5pA | 5pA | ±(0.2+3E-10+Vo×1E-12) | ±(0.2+3E-10+vo×1E-12) | 200 V |
±1uA | 10pA | 10pA | ±(0.05+3E-10+Vo×1E-12) | ±(0.1+2E-10+Vo×1E-12) | 200 V |
±10uA | 100pA | 100pAl | ±(0.05+3E-9+Vo×1E-11) | ±(0.05+2E-9+Vo×1E-11) | 200 V |
±100uA | 1nA | 1nA | ±(0.035+15E-9+Vo×1E-10) | ±(0.05+2E-B+vo×1E-10) | 200 V |
±1mA | 10nA | 10nA | ±(0.04+15E-8+Vo×1E-9) | ±(0.04+2E-7+vox1E-9) | 200 V |
±10mA | 100nA | 100nA | ±(0.04+15E-7+Vo×1E-B) | ±(0.04+2E-6+Vo×1E-8) | 200 V |
±0.1A | 1uA | 1pA | ±(0.045+15E-6+Vo×1E-7) | ±(0.1+2E-5+Vo×1E-7) | 200 V |
±1A | 10uA | 10uA | ±(0.1+3E-4+Vo×1E-6) | ±(0.1+10E-5+Vo×1E-6) | 200 V |
P6704B低压模块技术指标
P6704B电压量程，分辨率和精度
电压量程 | 输出分辨率 | 测量分辨率 | 输出精度±(%+mV+mV) |
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