在半桥功率转换器中进行高边测量充满挑战，因为测量时参考的源或集电极会快速上下摆动。SiC 和 GaN FET 等宽带隙器件更难测量，因为它们可以在几纳秒内切换高压。这种快速变化的共模电压产生的噪声进入差分测量结果中，并掩盖 VGS 和 VDS 的详细信息。IsoVu 探头在全带宽下具有无与伦比的共模抑制性能，通常首次能够查看到信号详细信息。
应用
使用 SiC 或 GaN、FET 或 IGBT 的半/全桥设计
浮动测量
功率转换器设计
电源设备评估
开关电源设计
逆变器设计
电机驱动设计
电子镇流器设计
EMI 和 ESD 故障排除
电流并联测量
概述
特征
TIVP1
TIVP05
TIVP02
带宽
1 GHz
500 MHz
200 MHz
上升时间
450 ps
850 ps
2 ns
差分输入电压范围、偏置范围、差分阻抗
仅使用列出的传感器端部电缆。
传感器端部电缆
差分输入电压范围
偏置范围
输入阻抗
SMA 输入（50Ω 模式）
±5 V
±25 V
50 Ω || N.A.
SMA 输入（1MΩ 模式）
±5 V
±25 V
1 MΩ || 11 pF
TIVPMX10X
±50 V
±200 V
10 MΩ || 2.8 pF
TIVPMX50X
±250 V
±250 V
9.75 MΩ || 2.3 pF
TIVPSQ100X
±500 V
±500 V
9.75 MΩ || 3.5 pF
TIVPWS500X
±2.5 kV
±2.5 kV
40 MΩ || 2.4 pF
TIVPMX1X
±5 V
±25 V
50 Ω 或 1 MΩ || 28 pF
共模抑制比
±5 V 范围内降低约 20 dB，直流除外。
传感器端部电缆
DC
1 MHz
100 MHz
200 MHz
500 MHz
1 GHz
SMA 输入（50Ω 模式）
160 dB
145 dB
100 dB
100 dB
100 dB
90 dB
SMA 输入（1MΩ 模式）
160 dB
145 dB
100 dB
100 dB
100 dB
90 dB
TIVPMX10X
160 dB
115 dB
92 dB
90 dB
85 dB
80 dB
TIVPMX50X
160 dB
110 dB
80 dB
80 dB
80 dB
70 dB
TIVPSQ100X
160 dB
105 dB
60 dB
50 dB
35 dB
25 dB
TIVPWS500X
160 dB
90 dB
50 dB
40 dB
20 dB
10 dB
TIVPMX1X
160 dB
125 dB
115 dB
110 dB
100 dB
90 dB
最大无损差分电压
传感器端部电缆
Vpk（直流 + 交流峰值）1
SMA 输入（50Ω 模式）
5V RMS
SMA 输入（1MΩ 模式）
100 Vpk
TIVPMX10X
250 Vpk
TIVPMX50X
300 Vpk
TIVPSQ100X
600 Vpk
TIVPWS500X
3300 Vpk
TIVPMX1X
5 V RMS (50 Ω)，100 Vpk (1 MΩ)
订货信息
型号
TIVP1
Tektronix IsoVu 1 GHz，隔离探头，带 2 米电缆
TIVP05
Tektronix IsoVu 500 MHz，隔离探头，带 2 米电缆
TIVP02
Tektronix IsoVu 200 MHz，隔离探头，带 2 米电缆
TIVP1L
Tektronix IsoVu 1 GHz，隔离探头，带 10 米电缆
TIVP05L
Tektronix IsoVu 500 MHz，隔离探头，带 10 米电缆
TIVP02L
Tektronix IsoVu 200 MHz，隔离探头，带 10 米电缆
标准附件
016-2147-xx
适用于2 m 电缆型号的 IsoVu 手提箱；软手提箱（带有泡沫隔层）可保护 TIVP 并增大光纤的最小弯曲半径
