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CT8203
CT8203
CT8203

苏州联讯 低温芯片测试机 CT8203

品牌名称:苏州联讯

产品型号:CT8203

产品规格
产品介绍
低温芯片测试机 CT8203 是针对半导体LD激光器在低温、常温下进行的光电特性LIV扫描测试、光谱扫描测试参数测试。系统为双温区结构设计,一个产品可连续测试两个温度。系统主要由晶圆供给区、芯片搬运区、芯片位置校正区、芯片OCR提取区、芯片测试区、芯片收纳区共六部分组成。系统集成了从晶圆环上料、运输、DUT ID扫描、高/低温测试、下料、分拣归类。
CT8203 支持激光器前向/后向光电测试以及前向光光谱测试。支持两个温区测试:两个测试平台以支持低温/常温并行测试。
CT8203 测试效率非常高,可以在6.5s(1次LIV+3次光谱)内完成上述6个流程。非常适合大批量量产应用。系统采用偏心凸轮结构、高精度直线电机、高重复性步进电机计、高精密夹具、高稳定性加电探针以及高导热载台,使其具有超高的精度和稳定性。
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产品详情

产品介绍

低温芯片测试机 CT8203 是针对半导体LD激光器在低温、常温下进行的光电特性LIV扫描测试、光谱扫描测试参数测试。系统为双温区结构设计,一个产品可连续测试两个温度。系统主要由晶圆供给区、芯片搬运区、芯片位置校正区、芯片OCR提取区、芯片测试区、芯片收纳区共六部分组成。系统集成了从晶圆环上料、运输、DUT ID扫描、高/低温测试、下料、分拣归类。

CT8203 支持激光器前向/后向光电测试以及前向光光谱测试。支持两个温区测试:两个测试平台以支持低温/常温并行测试。

CT8203 测试效率非常高,可以在6.5s(1次LIV+3次光谱)内完成上述6个流程。非常适合大批量量产应用。系统采用偏心凸轮结构、高精度直线电机、高重复性步进电机计、高精密夹具、高稳定性加电探针以及高导热载台,使其具有超高的精度和稳定性。

 

主要特点

全自动化、智能化集成解决方案

高度集成全自动化解决方案,覆盖非常复杂的测试流程;

高效率

提升效率,减少人为参与的潜在风险,自动切换准直光纤和大面积光电探测器,测试后自动分拣DUT;

维护升级非常简单

所有机构件可以独立返厂

方便使用

自动告警状态和提示显示,所有仪器、测试计划、通过/失败标准都可以非常方便进行配置。

 

功能与优势

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全自动化、智能化集成解决方案

上料模组

上料模组.jpg

本模组由顶针Z模组,X/Y运动模组,蓝膜旋转模组4个子功能模块组成,左侧为校准用底部相机,搭配上方识别相机,和吸嘴运动模组,实现 Chip 的取料功能。

Chip 包装的兼容模式: 1个6寸扩晶环。

高温、常温测试模组

测试模组.jpg

本模组由直线运动模组实现Chip XYθ三个自由度的校准,3轴收光探测模组组成,搭配模组上方的ID/位置识别相机,和探针加电调整模组,完成上料后位置角度的校准工作,和Chip测试加电工作。PD/准直器使用运动轴实现功能快速切换。

测试台温度可根据工艺独立设定,温度稳定性<+/-0.2°。

相机、探针加电模组

加电模组.jpg

设备右侧上料相机搭配上料模组,完成Chip的上料识别功能(可根据来料需求搭配不同功能组件) 高/常温测试模组上方的相机(设备中部),在Chip的上料动作完成后,通过多次拍照搭配3轴运动模组,完成Chip的位置校准(高温相机同步完成 Chip的ID识别)。

探针加电调整模组,每组搭配最多3组探针(可选配背光PD子功能模组),不同组合搭配,可实现DFB / EML、EML+SOA产品的 LIV、EA光谱等相关参数的测试。

下料分档模组

分档模组.jpg

下料模组配置4个载盘放置区域,可支持4个6寸蓝膜,或者根据客户需求定制兼容的下料载具。

 

技术规格

参数类型

参数名称

参数指标

系统功能

支持产品类型

兼容客户指定的DFB、EML以及EML+SOA   Die测试(根据DFB与EML腔长尺寸差异,测试载台可选择兼容或不兼容)

测试项目

激光器前光与背光LIV,EML消光比与光谱测试

测试温区数

2个温区

ID识别

支持Chip   ID识别

芯片尺寸

L&W≥150um,H>80um~150um

吸嘴结构

特殊设计的吸嘴结构,先从料盒剥离,然后吸起

测试参数

Ith,   Se, Iop, Pf, Vf,I r, PKink, Ikink, Rd, Pmax, IRoll, ER,λc, SMSR等近百项参数,可根据需求进行增删

上料料盒

支持1个6英寸蓝膜

下料料盒

支持4个6英寸蓝膜

下料分档

根据识别和测试结果将物料分类,物料分类条件可根据客户需求在软件进行编辑

CDA要求

>600L/Min(如果小于此流量将影响降露点速度)

电参数

源表类型

联讯自研高精度源表或其他指定类型

源表数量

DFB激光器3台双通道源表,EML激光器4台双通道源表,EML+SOA激光器5台双通道源表

加电类型

支持CW与Pulse方式加电

DC电流源范围

3A,1A,100mA,10mA,1mA,100uA

最小电源分辨率

20uA,5uA,500nA,50nA,5nA,500pA

最小测量精度

0.03%+50nA

DC电压源范围

30V,10V,1V

电压分辨率

100uV,10uV,1uV

最小电压测量精度

0.02%+1mV

最小脉宽

250us

正常操作下冲

没有EOS

正常操作上冲

没有EOS

异常操作下冲

没有EOS

异常操作上冲

没有EOS

光参数

探测器类型

Ge

光功率探测波长范围

800-1700nm

光功率测量范围

10uW-25mW(>25mW可增加衰减片测量)

光谱测试波长范围

客户提供光谱仪或横河AQ6360

光谱测试精度

客户提供光谱仪或横河AQ6360

EA   DCER精度

+/-0.2dB

温度

控温方法

TEC+水冷(带露点监控,露点可到-70℃以内)

温度范围

-40~95   ℃

温度升温速度

室温升到90℃ <5分钟

温度下降速度

室温降到-40℃ <10分钟

温度精度

±0.5℃

温度稳定性

±0.2℃

系统指标

Ith重复性

+/-1%

Power重复性

+/-2%

波长重复性

<+/-0.2nm

SMSR   重复性

<3dB

ID识别一次成功率

>99.5%

测试时间

6.5   s内完成所有操作(EML芯片根据测试项目不同会有差异)


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