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WLR075S

苏州联讯 碳化硅晶圆老化系统 WLR075S

品牌名称：苏州联讯

产品型号：WLR075S

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产品规格
产品介绍
联讯仪器碳化硅晶圆老化系统 WLR075S，最多配置12个老化大单层，每个老化大单层支持4&6寸晶圆，每个晶圆同时进行最大1024个产品的HTGB老化，能广泛的应用在功率半导体特性，GaN、SiC表征，复合材料，晶元工艺等测试和研究领域。
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产品介绍

联讯仪器 碳化硅晶圆老化系统 WLR075S，最多配置12个老化大单层， 每个老化大单层支持4&6寸晶圆，每个晶圆同时进行最大1024个产品的HTGB老化，能广泛的应用在功率半导体特性，GaN、SiC表征，复合材料，晶元工艺等测试和研究领域。

 

主要特点

同时支持HTGB

相比GB&RB兼容，这个有更高的容量；

Vgs(th)测试功能

可以在老化过程中切换为Vth测试，单颗产品测试；

实时监控栅极电流

及时发现产品异常，记录异常时的数据；

电流最小测量分辨率可达0.1nA

精确测量漏电流；

GB电压最高75V

为后续工艺优化留Buffer；

监控电流采样速率

1024颗产品轮询在1分钟以内；

产品异常保护功能

有栅极保护电路，短路时可以关闭输出；

加热功率，温控精度

支设计加热功率200W，升温速度常温到175℃小于20分钟，控温精度±1℃，分辨率0.1℃。

 

功能与优势

夹具，单层抽屉和整机结构

整机结构.jpg

碳化硅晶圆老化系统WLR075S 分为夹具，单层抽屉和整机结构，每层可以独立运行。

夹具分为探针卡和热沉两个部分，通过Aligner设备将晶圆和组合起来，放到老化系统进行老化。

单层抽屉设计

单层抽屉设计.jpg

每层电路独立控制，可以实现不同单层工作在不同模式，可以通过调用老化Plan进行不同的老化验证。

 

技术规格

栅极电压源指标

电压设置精度

量程

设置分辨率

精度(1年) ±(%读数+偏置)

±75   V

10   mV

0.1%+0.2   V

±20   V

5   mV

0.1%+0.1   V

过冲

<1%   (典型值)

总功率

100   mW

通道数量

1024（每个老化大单层）

栅极电压表指标

电压表显示精度

量程

显示分辨率

精度(1年) ±(%读数+偏置)

±75   V

10   mV

0.1%+0.2   V

±20   V

5   mV

0.1%+0.1   V

通道数量

1024（每个老化大单层）

栅极电流表指标

电流显示精度

量程

显示分辨率

精度(1年) ±(%读数+偏置)

10   uA

500   pA

0.1%   + 50 nA

1uA

50   pA

0.1%   + 5 nA

100   nA

10   pA

0.1%   + 0.5 nA

10   nA

1pA

0.1%   + 0.1 nA

通道数量

8路（128路一个表）


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