产品介绍
日立离子研磨仪标准机型IM4000Ⅱ能够进行截面研磨和平面研磨。还可通过低温控制及真空转移等各种选配功能,针对不同样品进行截面研磨。
产品特点
高效率的截面研磨
IM4000II配备截面研磨能力达到500 µm/h*1以上的高效率离子枪。因此,即使是硬质材料,也可以高效地制备出截面样品。
*1在加速电压6 kV下,将Si片从遮挡板边缘突出100 µm并加工1小时的最大深度
截面研磨时如果摆动的角度发生变化,加工的宽度和深度也会发生变化。下图为Si片在摆动角度为±15°下进行截面研磨后的结果。除摆动角度以外,其他条件与上述加工条件一致。通过与上面结果进行对比后,可发现加工的深度变深。
对于观察目标位于深处的样品来说,能够对样品进行更快速的截面研磨。
复合型研磨仪
截面研磨
即使是由不同硬度以及研磨速度材质所构成的复合材料,也可以通过IM4000Ⅱ制备出平滑的研磨面
优化加工条件,降低因离子束所致样品的损伤
可装载最大20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的样品
截面研磨的主要用途
金属以及复合材料、高分子材料等样品的截面制备
含有裂缝和空隙等特定位置的样品截面制备
多层样品的截面制备以及对样品EBSD分析的前处理
平面研磨
直径约为5mm范围内的均匀加工
应用领域广泛
最大可装载直径50 mm × 高度25 mm的样品
可选择旋转和摆动(±60度,±90度的摆动)2种加工方法
平面研磨的主要用途
去除机械研磨中难以消除的细小划痕和形变
去除样品表层部分
消除因FIB加工所致的损伤层
低温控制功能*1
将液氮装入杜瓦罐中,以此作为冷却源间接冷却样品。IM4000Ⅱ配有温度调节控制功能,以防止树脂和橡胶样品过冷。
真空转移功能
离子研磨加工后的样品可以在不接触空气的状态下直接转移到SEM*1、AFM*2上。真空转移功能与低温控制功能可同时使用。(平面研磨真空转移功能不适用低温控制功能)。
观察加工过程的体式显微镜
右图为用于观察样品加工过程的体式显微镜。搭载了CCD相机的三目型显微镜能够在显示器上进行观察。也可配置双目型体式显微镜。
技术参数
主要内容 | |
使用气体 | 氩气 |
氩气流量控制方式 | 质量流量控制 |
加速电压 | 0.0 ~ 6.0 kV |
尺寸 | 616(W) × 736(D) × 312(H) mm |
重量 | 主机53 kg+机械泵30 kg |
截面研磨 | |
最快研磨速度(Si材料) | 500 µm/h*1以上 |
最大样品尺寸 | 20(W)×12(D)×7(H)mm |
样品移动范围 | X±7 mm、Y 0 ~+3 mm |
离子束间歇加工功能 | 1秒 ~ 59分59秒 |
摆动角度 | ±15°、±30°、±40° |
广域截面研磨功能 | - |
平面研磨 | |
最大加工范围 | φ32 mm |
最大样品尺寸 | Φ50 X 25 (H) mm |
样品移动范围 | X 0~+5 mm |
离子束间歇加工功能 | 1秒 ~ 59分59秒 |
旋转速度 | 1 rpm、25 rpm |
摆动角度 | ±60°、± 90° |
倾斜角度 | 0 ~ 90° |
*1将Si片从遮挡板边缘突出100 µm并加工1小时的深度。
选配项
项目 | 内容 |
低温控制功能*2 | 通过液氮间接冷却样品,温度设定范围:0°C ~ -100°C |
超硬遮挡板 | 使用时间约为标准遮挡板的2倍(不含钴) |
加工过程观察用显微镜 | 放大倍数 15× ~ 100× 双目型、三目型(可装CCD) |
*2需与主机同时订购。冷却温度控制功能在使用时,部分功能可能使用有限。