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IM4000II

日立 离子研磨仪 IM4000II

品牌名称:日立

产品型号:IM4000II

产品规格
产品介绍
日立离子研磨仪标准机型IM4000Ⅱ能够进行截面研磨和平面研磨。还可通过低温控制及真空转移等各种选配功能,针对不同样品进行截面研磨。
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产品介绍
日立离子研磨仪标准机型IM4000Ⅱ能够进行截面研磨和平面研磨。还可通过低温控制及真空转移等各种选配功能,针对不同样品进行截面研磨。

 

产品特点

高效率的截面研磨

IM4000II配备截面研磨能力达到500 µm/h*1以上的高效率离子枪。因此,即使是硬质材料,也可以高效地制备出截面样品。

*1在加速电压6 kV下,将Si片从遮挡板边缘突出100 µm并加工1小时的最大深度

截面研磨时如果摆动的角度发生变化,加工的宽度和深度也会发生变化。下图为Si片在摆动角度为±15°下进行截面研磨后的结果。除摆动角度以外,其他条件与上述加工条件一致。通过与上面结果进行对比后,可发现加工的深度变深。
对于观察目标位于深处的样品来说,能够对样品进行更快速的截面研磨。

 

复合型研磨仪

截面研磨

即使是由不同硬度以及研磨速度材质所构成的复合材料,也可以通过IM4000Ⅱ制备出平滑的研磨面

优化加工条件,降低因离子束所致样品的损伤

可装载最大20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的样品

截面研磨的主要用途

金属以及复合材料、高分子材料等样品的截面制备

含有裂缝和空隙等特定位置的样品截面制备

多层样品的截面制备以及对样品EBSD分析的前处理

平面研磨

直径约为5mm范围内的均匀加工

应用领域广泛

最大可装载直径50 mm × 高度25 mm的样品

可选择旋转和摆动(±60度,±90度的摆动)2种加工方法

平面研磨的主要用途

去除机械研磨中难以消除的细小划痕和形变

去除样品表层部分

消除因FIB加工所致的损伤层

 

低温控制功能*1

将液氮装入杜瓦罐中,以此作为冷却源间接冷却样品。IM4000Ⅱ配有温度调节控制功能,以防止树脂和橡胶样品过冷。

 

真空转移功能

离子研磨加工后的样品可以在不接触空气的状态下直接转移到SEM*1、AFM*2上。真空转移功能与低温控制功能可同时使用。(平面研磨真空转移功能不适用低温控制功能)。

 

观察加工过程的体式显微镜

右图为用于观察样品加工过程的体式显微镜。搭载了CCD相机的三目型显微镜能够在显示器上进行观察。也可配置双目型体式显微镜。

 

技术参数

主要内容

使用气体

氩气

氩气流量控制方式

质量流量控制

加速电压

0.0   ~ 6.0 kV

尺寸

616(W)   × 736(D) × 312(H) mm

重量

主机53   kg+机械泵30 kg

截面研磨

最快研磨速度(Si材料)

500   µm/h*1以上

最大样品尺寸

20(W)×12(D)×7(H)mm

样品移动范围

X±7   mm、Y 0 ~+3 mm

离子束间歇加工功能
  开启/关闭 时间设定范围

1秒   ~ 59分59秒

摆动角度

±15°、±30°、±40°

广域截面研磨功能

-

平面研磨

最大加工范围

φ32   mm

最大样品尺寸

Φ50   X 25 (H) mm

样品移动范围

X   0~+5 mm

离子束间歇加工功能
  开启/关闭 时间设定范围

1秒   ~ 59分59秒

旋转速度

1   rpm、25 rpm

摆动角度

±60°、± 90°

倾斜角度

0 ~ 90°

*1将Si片从遮挡板边缘突出100 µm并加工1小时的深度。

选配项

项目

内容

低温控制功能*2

通过液氮间接冷却样品,温度设定范围:0°C ~ -100°C

超硬遮挡板

使用时间约为标准遮挡板的2倍(不含钴)

加工过程观察用显微镜

放大倍数 15× ~ 100× 双目型、三目型(可装CCD)

*2需与主机同时订购。冷却温度控制功能在使用时,部分功能可能使用有限。

 


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