icon icon icon
banner图片
Image
GSL-CKJS-560-B2

沈阳科晶 磁控溅射 GSL-CKJS-560-B2

品牌名称:沈阳科晶

产品型号:GSL-CKJS-560-B2

产品规格
产品介绍
高真空溅射可用于金属、半导体、绝缘体等多种新型薄膜材料的制备,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点,可广泛用于大专、科研院所的薄膜材料研究、制备。
资料下载
渠道商
产品详情

产品介绍

高真空溅射可用于金属、半导体、绝缘体等多种新型薄膜材料的制备,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点,可广泛用于大专、科研院所的薄膜材料研究、制备。

 

产品特点

  • 真空度高。

  • 可制备多种薄膜,金属、半导体、绝缘体等,应用广泛。

  • 体积小,操作简便。

  • 清理安装便捷。

  • 控制可选一体化触摸屏控制

 

安装条件

本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。

水:设备配有自循环冷却水机(加注纯净水或者去离子水)

电:AC380V 50Hz,必须有良好接地

气:设备腔室内需充注氮/氩气(纯度99.99%以上),需自备实验气体气瓶(自带Ø10mm双卡套接头)及减压阀

场地:设备尺寸3500×1600mm,承重1000kg以上

通风装置:需要

 

技术参数

主射室尺寸

Ø50mm

主射室真空度

Ø160mm×120mm

进样室尺寸

≤4×10-2mbar

进样室真空度

50mA(可选100mA)

永磁靶5套,靶材尺寸φ2″,各靶射频与直流溅射兼容(其中1个靶可溅射铁磁材料)

公转样品台6个工位,5个水冷工位,1个加热工位,加热工位最高温度 600℃±1℃

样品尺寸

1600V  DC

产品规格

整机尺寸:2700×900mm×2000mm。

基片可加-200V负偏压

进样室可一次性安装6片样品,可对被镀样品进行退火处理,退火温度 800℃±1℃

进样室可对基片进行反溅清洗

进样室和主溅射室之间通过磁力样品机构进行样品传递

 

标准配件

电源控制系统1套、真空获得系统1套、真空测量装置1套


相关产品
资料申请
在线留言