产品介绍
高真空溅射可用于金属、半导体、绝缘体等多种新型薄膜材料的制备,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点,可广泛用于大专、科研院所的薄膜材料研究、制备。
产品特点
真空度高。
可制备多种薄膜,金属、半导体、绝缘体等,应用广泛。
体积小,操作简便。
清理安装便捷。
控制可选一体化触摸屏控制
安装条件
本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。
水:设备配有自循环冷却水机(加注纯净水或者去离子水)
电:AC380V 50Hz,必须有良好接地
气:设备腔室内需充注氮/氩气(纯度99.99%以上),需自备实验气体气瓶(自带Ø10mm双卡套接头)及减压阀
场地:设备尺寸3500×1600mm,承重1000kg以上
通风装置:需要
技术参数
主射室尺寸 | Ø50mm |
主射室真空度 | Ø160mm×120mm |
进样室尺寸 | ≤4×10-2mbar |
进样室真空度 | 50mA(可选100mA) |
永磁靶5套,靶材尺寸φ2″,各靶射频与直流溅射兼容(其中1个靶可溅射铁磁材料) | |
公转样品台6个工位,5个水冷工位,1个加热工位,加热工位最高温度 600℃±1℃ | |
样品尺寸 | 1600V DC |
产品规格 | 整机尺寸:2700×900mm×2000mm。 |
基片可加-200V负偏压
进样室可一次性安装6片样品,可对被镀样品进行退火处理,退火温度 800℃±1℃
进样室可对基片进行反溅清洗
进样室和主溅射室之间通过磁力样品机构进行样品传递
标准配件
电源控制系统1套、真空获得系统1套、真空测量装置1套