产品介绍
高真空溅射可用于金属、半导体、绝缘体等多种新型薄膜材料的制备,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点,可广泛用于大专、科研院所的薄膜材料研究、制备。
产品特点
真空度高。
可制备多种薄膜,金属、半导体、绝缘体等,应用广泛。
体积小,操作简便。
清理安装便捷。
控制可选一体化触摸屏控制
安装条件
本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。
水:设备配有自循环冷却水机(加注纯净水或者去离子水)
电:AC380V 50Hz,必须有良好接地
气:设备腔室内需充注氮/氩气(纯度99.99%以上),需自备实验气体气瓶(自带Ø10mm双卡套接头)及减压阀
场地:设备尺寸3500×1600mm,承重1000kg以上
通风装置:需要
技术参数
主溅射室尺寸 | Ø450×355mm筒形真空室 |
主溅射室真空度 | 5×10-5Pa |
永磁靶3套,靶材尺寸φ2″,各靶射频与直流溅射兼容(其中1个靶可溅射铁磁材料),靶与样品距离90-110mm可调 | |
三靶共溅,三个靶可共同折向样品中心,距离40-80mm可调 | |
基片加热与水冷独立工作,加热炉可与水冷样品台可互换,加热工位最高温度 600℃±1℃ | |
样品尺寸 | φ1″ |
产品规格 | 整机尺寸:1500×900mm×2000mm; |
样品台可连续回转,转速5-15转/分
基片可加-200V负偏压
公转6工位样品台,可一次性安装6片φ1″基片,
拆下水冷加热样品台可换上6工位样品台,其中5个工位为自然冷却工位,1个加热工位,加热工位温度 600℃±1℃
标准配件
电源控制系统1套、真空获得系统1套、真空测量装置1套