产品介绍
高真空单室热蒸发系统用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、 半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用 于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。系统主要由真空室系统蒸发室、蒸发源系统、样品台系统、 真空抽气及测量系统、气路系统、控制系统、膜厚测试 系统、上盖液压开启机构、电控系统组成。
产品特点
已通过CE认证。
采用石英腔体,易于清洁和样品的放入。
样品台可旋转,能够使所制薄膜达到更好的均匀性。
采用钨丝作为发热源,最高温度可达到1700℃,并配有专用的氧化铝舟装载样品(仅1600ºC以下使用,若蒸发温度大于1600ºC,样品应直接放在钨丝篮中)。
热电偶安装在坩埚底部,以便于温度测量和控制。
可将设备转换到手动调节状态,内部不安装热电偶,直接采用手动调节输出电流大小,发热源温度可达2000ºC,可达到对样品镀碳等实验要求。
可向真空腔体中通入惰性气体,对腔体进行清洗,也可通入反应气体,进行反应蒸发镀膜。
进气口配有针阀,用于调节进气流量。
技术参数
极限真空度 | 5×10-5Pa,系统漏率:1×10-7PaL/S; 恢复真空时间:40分钟可达6.6×10 Pa(短时间暴露 大气并充干燥氮气后开始抽气) |
真空室 | 圆形真空室,尺寸300× 350mm |
样品台 | 尺寸为3英寸×3英寸,厚度3.2mm的平面样品; |
金属电极 | 数量:1支,标准型钎焊间接水冷结构;直径Φ20㎜,内水冷; |
有机束源炉 | 数量:3支,标准型600度控温,向上蒸发成膜; |
样品架 | 在基片转盘上有1个基片位置放置样品托(样品托可以分别放置2英寸)孔安装加热炉。为了在2英寸基片台范围内提高膜厚均匀性,基片在镀膜位置实现自转。基片的温度从室温至600℃(硅片上表面的温度,只需标定一次即可); |
4套挡板系统 | 基片挡板与源挡板;靶挡板共有3套,动密封手动控制; 样品挡板(1套),磁力拨叉; |
手动控制 | 气路系统:质量流量控制器1路 石英晶振膜厚控制仪:膜厚测量范围0-999999Å 可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统。 |