沈阳科晶 平行板电容式PECVD

产品介绍

平行板电容式PECVD是一种用等离子体激活反应气体,促进在基体表面或近表面空间进行化学反应,生成固态膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是在高频或直流电场作用下，源气体电离形成等离子体，利用低温等离子体作为能量源，通入适量的反应气体，利用等离子体放电，使反应气体激活并实现化学气相沉积的技术。该系统为单室等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺研发设备，用于生长纳米线或用CVD，方法来制作各种薄膜是一款新的探索工具。

产品特点

• 系统采用单筒式结构，手动前开门

• 高真空环境下进行沉积薄膜

• 不锈钢腔体

• 样品台可转动

安装条件

环境温度：10℃～35℃

相对湿度：不大于75%

供电电源：220V、单相、50±0.5 Hz

设备功率：小于4KW   

供水：水压0.2MPa～0.4MPa,水温15℃～25℃，

设备周围环境整洁，空气清洁，不应有可引起电器及其他金属件表面腐蚀或引起金属间导电的尘埃或气体存在。

技术参数

系统采用单室筒式结构，手动前开门；

真空室组件及配备零部件全部采用优质不锈钢材料制造（304），氩弧焊接，表面采用喷玻璃丸+电化学抛光钝化处理配有可视观察窗口，并带挡板，真空室尺寸为Φ300mm×300mm；

极限真空度：8.0x10-5 Pa 
(经烘烤除气后，采用600L/S分子泵抽气，前级采用4L/S)；
系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 
系统从大气开始抽气到8.0x10-4 Pa，40分钟可达到； 停泵关机12小时后真空度：≤20 Pa；

采用样品在下，喷淋头在上的电容式耦合方式进气；

样品最高加热温度：500℃，温控精度：±1°C，采用温控表进行控温；

喷淋头尺寸：Φ90mm，喷淋头与样品之间电极间距15-50mm在线连续可调（可根据工艺调整），并带有标尺指数显示；

沉积工作真空：13.3-133Pa（可根据工艺调整）；

射频电源：频率 13.56MHz，最大功率300W全自动匹配；

气体种类（用户自备），标准配置为2路100sccm质量控制器，用户可根据工艺更改气路配置；

系统尾气处理系统(用户自备)。